Da molti laboratori di ricerca giungono notizie che, molto probabilmente, porteranno ad una nuova base di sviluppo per l'elettronica, con il passaggio dalla tecnologia del Silicio ad una nuova tecnologia delle leghe comprendenti elementi del III-V gruppo della tavola degli elementi chimici, con particolare rilievo per quella basata sull'Arseniuro di Gallio (GaAs).

In queste pagine si vogliono illustrare, almeno a livello qualitativo, gli aspetti di una nuova tecnica che va sotto il nome di "Ingegneria delle bande" (Band-gap engineering). Con questa tecnica sono stati realizzati dei dispositivi del tutto nuovi e rivoluzionari . Ne è stato pioniere, e tutt'ora se ne occupa presso i laboratori Bell della AT&T nel New Jersey, un fisico italiano, Dr. Federico Capasso, al quale va il nostro particolare ringraziamento per le pubblicazioni scientifiche forniteci. Chi volesse può visitare il suo sito Internet: