Indice – Glossario - Bibliografia - ï ñð
a Percentuale di cariche che dall'emettitore raggiungono il collettore
b Coefficiente di amplificazione dei transistori Bjt
c Velocità della luce m/s
Dn Costante di diffusione degli elettroni m2/s
Dp Costante di diffusione delle lacune m2/s
E Energia Joule
Ea Livello energetico relativo agli atomi "accettori" Joule
Ec Livello energetico superiore relativo alla banda di conduzione Joule
Ed Livello energetico relativo agli atomi "donori" Joule
Ef Livello energetico corrispondente al livello di Fermi Joule
Efn Livello di Fermi nei semiconduttori drogati tipo N Joule
Efp Livello di Fermi nei semiconduttori drogati tipo P Joule
Eg Ampiezza energetica della banda proibita, tra la banda di conduzione e quella di valenza Joule
En Autovalori soluzione delle equazioni di Schroedinger Joule
Ev Livello energetico inferiore relativo alla banda di valenza Joule
e o Costante dielettrica nel vuoto F/m
e s Costante dielettrica di un semiconduttore F/m
h Costante di Planck J .s
H Operatore Hamiltoniano nell'equazione di Schroedinger
InE Corrente dovuta agli elettroni proveniente dall'emettitore di un transistor Bjt A
IpE Corrente dovuta alle lacune iniettate dalla base nell'emettitore in un transistor Bjt A
IRB Corrente di ricombinazione nella zona di base di un Bjt A
J Densità di corrente A/m2
Jn Densità di corrente dovuta agli elettroni A/m2
Jp Densità di corrente dovuta alle lacune A/m2
K Costante di Boltzmann J/°K
Ln Lunghezza di diffusione degli elettroni m
Lp Lunghezza di diffusione delle lacune m
l Lunghezza d'onda di un fotone m
ln Lunghezza d'onda di un fotone in un mezzo con indice di rifrazione n m
mo Massa dell'elettrone nel vuoto Kg
m*n Massa equivalente di un elettrone all'interno di un semiconduttore Kg
m*p Massa equivalente di una lacuna all'interno di un semiconduttore Kg
m Coefficiente di mobilità m2/V. s
mn Coefficiente di mobilità degli elettroni m2/V. s
mp Coefficiente di mobilità delle lacune m2/V. s
n Densità degli elettroni m-3
ni Densità degli elettroni nei semiconduttori intrinseci m-3
Na Densità degli atomi accettori m-3
Nc Densità degli elettroni nella banda di conduzione m-3
Nd Densità degli atomi donori m-3
Nv Densità delle lacune nella banda di valenza m-3
n Frequenza di un fotone hz
p Densità di lacune m-3
q Carica dell'elettrone C
R Resistenza di un resistore integrato W
Rs Resistenza di un foglio di semiconduttore W
r Resistività di un materiale C/m3
s Conducibilità elettrica m3/C
sn Conducibilità elettrica dovuta agli elettroni m3/C
sp Conducibilità elettrica dovuta alle lacune m3/C
T Temperatura assoluta °K
tb Tempo di attraversamento della base in un Bjt normale s
t'b Tempo di attraversamento della base con andamento a rampa s
tn-e Tempo di vita media di un elettrone s
tp-h Tempo di vita media di una lacuna s
v Velocità media delle cariche m/s
Vbe Tensione di polarizzazione della giunzione base-emettitore V
Vcb Tensione di polarizzazione della giunzione base-collettore V
ve Velocità media degli elettroni m/s
vh Velocità media delle lacune m/s
Wd Ampiezza della zona di svuotamento m
Wbe Ampiezza della zona di svuotamento nella giunzione base-emettitore m
Wcb Ampiezza della zona di svuotamento della giunzione base-collettore m
Wn Estensione della zona di svuotamento nel semiconduttore drogato tipo N m
Wp Estensione della zona di svuotamento nel semiconduttore drogato tipo P m

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