Indice ñ Bibliografia - Elenco dei simboli - ïñð
 

Backward - Diodi ad alta conducibilità inversa determinata dall'effetto tunnel.

Banda - Intervallo di valori energetici permessi agli elettroni all'interno di un solido.

Band-gap - Intervallo di valori energetici proibiti, esistente tra due bande di energia permesse.

Bjt - Bipolar Junction Transistor. Transistor bipolare a giunzione, realizzato con semiconduttori di tipo N-P-N o P-N-P. Dispositivi in cui il flusso di corrente è controllato da un elettrodo di controllo.

Bosoni - Particelle a spin intero (s = 1, 2,..) che obbediscono alla legge di distribuzione di Bose-Einstein. Non sono soggetti al principio di esclusione di Pauli e quindi più bosoni possono coesistere con lo stesso livello energetico.

Buca di potenziale - Zona individuata da energia potenziale nulla per 0 < x < Lx ed energia potenziale infinita per x < 0 e per x > Lx.

Diffusione - Movimento spontaneo di cariche che tendono a muoversi da zone a densità maggiore a zone con densità minori, fino a determinare una condizione di distribuzione uniforme di cariche in equilibrio.

Distribuzione di Boltzmann (Legge di ) - Legge secondo la quale si distribuiscono sui livelli energetici possibili, le particelle libere.

Distribuzione di Bose - Einstein (Legge di ) - Legge secondo la quale si distribuiscono sui livelli energetici le particelle a spin intero (Bosoni ). Possono coesistere più particelle sullo stesso livello energetico.

Distribuzione di Fermi - Dirac (Legge di ) - Legge secondo la quale si distribuiscono sui livelli energetici le particelle a spin semiintero (Fermioni). Non ci possono essere due particelle con gli stessi numeri quantici corrispondenti allo stesso livello energetico.

Donori - Atomi droganti pentavalenti che, "donando" un elettrone alla banda di conduzione, determinano un eccesso di elettroni e quindi un drogaggio di tipo N, restando nel contempo ionizzati positivamente.

Doppio strato - Struttura fisica realizzata da due fogli carichi, uno positivamente e uno negativamente, separati da un dielettrico di piccolo spessore rispetto all'estensione dei fogli.

Drift ( Corrente di ) - Corrente dovuta al moto di cariche sotto la spinta di un campo elettrico esterno.

Drogaggio - Processo di sostituzione di atomi di semiconduttore nel reticolo cristallino, con atomi di impurità, che determinano un diverso comportamento elettrico del semiconduttore.

Esaki - Diodo con caratteristica a tratti di resistenza negativa, funzionante con l'effetto tunnel.

Eterostruttura - Struttura cristallina realizzata unendo semiconduttori di diversa struttura intrinseca.

Fabry - Perot - Interferometro costituito da due specchi altamente riflettenti, paralleli tra loro, con potere selettivo sulle frequenze incidenti perpendicolarmente sugli specchi.

Fermi (Livello di ) - Ultimo livello energetico occupato, allo zero assoluto, dagli elettroni all'interno di un solido, supponendo pieni tutti i livelli inferiori.

Fermioni - Particelle a spin semiintero ( s = 1/2, 3/2, ..) che obbediscono alla legge di distribuzione di Fermi - Dirac. Due particelle con gli stessi numeri quantici, caratterizzanti il livello energetico, non possono coesistere (Principio di esclusione di Pauli).

Fonone - Quanto di vibrazione del reticolo cristallino.

Fotomoltiplicatore - Dispositivo elettronico capace di fornire corrente elettrica, proporzionale all'intensità della luce incidente, ottenuta per moltiplicazione a valanga dei pochi elettroni generati inizialmente dalla luce stessa.

Fotone - Quanto di vibrazione del campo elettromagnetico. Ad ognuno di essi corrisponde una energia ed una frequenza definite da E = hn .

JFET - Junction Field Effect Transistor: transistori a giunzione ad effetto di campo. Dispositivi a controllo di tensione, nei quali il flusso di corrente è determinato da una tensione di controllo applicata al Gate.

HBT - Heterojunction Bipolar Transistor: transistori bipolari ad eterogiunzione costruiti con una base a band-gap inclinata per diminuire il tempo di attraversamento della base stessa.

Lacuna - Mancanza di un elettrone nel legame covalente in un semiconduttore. E' analoga ad una carica positiva libera all'interno del solido.

Laser - Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation, amplificazione di luce mediante emissione stimolata di radiazione: genera un fascio di luce monocromatica altamente collimato con caratteristiche di coerenza spazio-temporale.

Led - Light Emitting Diode, diodo ad emissione di luce: quando il diodo è polarizzato direttamente si "accende", emettendo fotoni generati dalla ricombinazione elettrone-lacuna, all'interno della giunzione.

Maggioritarie ( cariche ) - Elettroni o lacune generate per effetto del drogaggio, in numero determinato dal drogaggio stesso.

MBE - Molecular Beam Epitaxy, epitassia a fasci molecolari. Tecnica di costruzione dei semiconduttori che permette la realizzazione di strati sottilissimi, spessi solo qualche distanza interatomica.

Minoritarie ( cariche ) - Cariche presenti all'interno del semiconduttore per effetto della creazione di coppie elettrone-lacuna. Nei semiconduttori tipo N sono costituiti dalle lacune create per effetto termico, in numero molto minore delle cariche dovute al drogaggio. Viceversa nel semiconduttore di tipo P sono elettroni.

MOCVD - Metall-Organic Chemical Vapour Deposition. Deposizione chimica di vapore metallorganico. Tecnica di costruzione di strati sottilissimi di semiconduttore.

MOSFET - Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, Transistor ad effetto di campo in tecnica MOS. Dispositivi a comando di tensione in cui il flusso di corrente è controllato da una tensione applicata al gate.

Nibble - Numero binario costituito da soli quattro bit.

Omostruttura - Struttura cristallina dei semiconduttori realizzata con elementi omogenei.

Parità - Elemento di controllo di un numero binario in cui il numero complessivo di cifre "uno" è pari o dispari.

Pauli ( Principio di esclusione di ) - Legge di esclusione secondo il quale non possono esistere due particelle caratterizzate dagli stessi numeri quantici, all'interno di un unico sistema.

RTBT - Resonant Tunnelling Bipolar Transistor, Transistor bipolare ad effetto tunnell. Dispositivo realizzato con una buca di potenziale nella base, attraversata per effetto tunnel risonante.

Schroedinger (Equazione di ) - Equazione fondamentale della meccanica quantistica,che permette di determinare le onde di probabilità di distribuzione energetica delle particelle.

Spin - Parametro intrinseco delle particelle di valore semiintero ( s = 1/2, 3/2..) per i "Fermioni", e valore intero (s = 1, 2 ..) per i "Bosoni".

Substrato - Blocco di semiconduttore che funge da base di supporto per i dispositivi da realizzare.

Svuotamento ( Zona di ) - Zona ai lati di una giunzione vuota di portatori liberi. All'interno della stessa esistono solo gli ioni fissi localizzati sugli atomi "donori" ed accettori".

Tunnel (Effetto) - Effetto tipicamente quantistico secondo il quale le cariche riescono a scavarsi un "tunnel" in una parete che separa due buche di potenziale, purchè essa sia abbastanza sottile.