In questo capitolo:

• 1 - Epitassia a fasci molecolari - MBE
• 2 - MOCVD

 

 

Indice ñ Glossario - Bibliografia - Elenco dei simboli - ïñð

10.1 - Epitassia a fasci molecolari - MBE


 

L'epitassia a fascio molecolare (MBE) consente la sintesi di materiali in condizioni di non equilibrio come i super reticoli, ottenuti disponendo alternativamente, l'uno sopra l'altro, strati sottili di materiali diversi con periodicità reticolare simile a quella del substrato. Il wafer del substrato, che funge da struttura portante, insieme ad una serie di tubi chiusi contenenti gli elementi da depositare posti sottovuoto.

Quando i tubi vengono aperti, sotto il controllo di un computer, gli elementi in essi contenuti si depositano nel substrato in uno strato epitassiale, cioè con strutture atomiche intimamente legata a quella del substrato.

Questa tecnica permette la crescita di strati sottilissimi, films spessi solo quale strato atomico, realizzando l'alternanza  di materiali differenti, a seconda del contenitore in quel momento aperto, come se si dipingesse il substrato con vari strati di vernice.

Il difetto fondamentale di questa tecnica è, però, la sua estrema lentezza. (normalmente si ha la crescita di uno strato atomico per ogni secondo, e quindi circa un micron per ora) ed inoltre si può lavorare solo un wafer per volta.
 

10.2 - MOCVD


 

In questo procedimento , tra l'altro , non è necessario il vuoto.

Anche qui bisogna depositare i vari elementi, alternativamente su un substrato. I materiali da depositare, sotto forma di gas, a pressione atmosferica , vengono messi a contatto con il substrato, riscaldato ad alte temperature, ed interagiscono con esso. Il rapporto di crescita dei vari strati è controllato variando il flusso dei gas nelle camere di deposizione.

In questo caso pompe e valvole compiono il lavoro che prima era affidato all'apertura e chiusura dei tubi nella tecnica MBE.
 
 

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